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低 C/N 比污水A2/O+BAF 深度脫氮除磷工藝技術
針對我國低 C/N 比污水現狀和深度脫氮除磷的要求，本項目全面開發適用于低 C/N 比污水處理的A2/O+BAF（曝氣生物濾池）深度脫氮除磷工藝技術，以解決我國污水深度脫氮除磷碳源缺乏的問題。本項目基于反硝化除磷技術和雙污泥理論，構建 A2/O+BAF 系統，從工藝設計上解決傳統工藝中脫氮和除磷污泥齡的矛盾，并建立起強化 A2/O+BAF 工藝反硝化除磷性能的過程控制方法，使污水處理在不外加碳源的條件下能夠達標排放，并且能夠節省曝氣能耗和降低污泥產量，是一種具有廣泛應用價值的新型污水處理技術。
北京工業大學
2021-04-13
甲基硅氧烷大氣轉化導致低揮發性物種及高產率甲醛的形成
該研究發現一種新的過氧自由基自氧化機制，闡明甲基硅氧烷大氣轉化會生成甲醛，增加其釋放的環境風險。該研究不僅拓展了對大氣過氧自由基化學的理解，還為甲基硅氧烷環境行為模擬和風險評估提供了重要的基礎數據。
大連理工大學
2021-01-12
低C/N比污水A2/O+BAF深度脫氮除磷工藝技術
北京工業大學
2021-04-14
一種基于低影響開發的源頭雨水凈化存蓄系統及安裝方法
本發明公開了一種基于低影響開發的源頭雨水凈化與存蓄系統，包括透水鋪裝路面、下凹式綠地，所述透水鋪裝路面與下凹式綠地相連接，下凹式綠地的底部設有生物滯留層，生物滯留層包括生物層、砂層和礫石層，且依次分布，礫石層底部設有雨水收集池，礫石層與雨水收集池的之間的連接處設有土工布，雨水收集池由若干雨水收集模塊組成，雨水收集池的兩側池壁上部分別設有溢流管，雨水收集池設有水位監測裝置，采用模塊相互拼接的方法，施工方便且工期短，收集的雨水可以長期為地面上的綠色植物提供生長所需要的水分，有效利用自然雨水，減少人工取用
華中科技大學
2021-04-14
輸出電容低ESR開關變換器雙緣PFM調制電壓型控制方法及其裝置
本成果來自國家科技計劃項目，現已結題，并獲得國家發明專利授權（ZL201310022469.0），知識產權屬于西南交通大學。該成果公開了一種輸出電容低ESR開關變換器雙緣PFM調制電壓型控制方法及其裝置，檢測流過輸出電容的電流ic以及輸出電壓Vo，將兩者相加得到信號Vos，電壓控制信號Vc與Vos經過時間運算器生成可變時間，結合預設的恒定時間，再經過控制時序生成器產生由恒定時間和可變時間組成的控制時序，控制開關變換器開關管的導通與關斷。本成果具有輸出電壓低紋波且無低頻振蕩、穩定范圍廣、瞬態響應速度快、穩壓精度高的優點。
西南交通大學
2016-06-27
低紋波高精度大功率加速器脈沖電源用直流有源濾波器
大功率的低紋波、高精度穩定電源和脈沖電源是一種非常重要的特種電源，在現代科學研究和醫療、工業生產、環境保護中獲得越來越廣泛的應用。本項目針對大功率穩定電源和脈沖電源對電流紋波和動態響應的嚴格要求，提出并實現了采用有源濾波器和負載并聯，檢測直流側紋波電壓、利用PWM控制技術的并聯直流有源濾波器來抑制電流紋波和提高動態響應的方案。其顯著優點：在對傳感器和電路元
西安交通大學
2021-01-12
一種Al-Si-Zn-Ge系低熔點鋁基釬料及其制備方法
所屬行業領域 鋁及鋁合金的釬焊材料 成果介紹 本研究成果是涉及一種Al-Si-Zn-Ge系低熔點鋁基釬料及其制備方法，釬料合金中主要添加元素為Si、Ge、Zn，旨在解決當前鋁基釬料所面臨的兩個關鍵問題：1、熔化溫度低的加工成型性差（如Al-Si-Cu、Al-Ag-Cu等）；2、加工成型性好的熔化溫度高（如Al-12Si）。這兩大關鍵問題直接制約著釬料合金的制備和使用，到目前為止，大量的性能
北京科技大學
2021-04-14
一種適用于低用戶密度小區上行鏈路的能效優化方法
本發明公開了一種適用于低用戶密度小區上行鏈路的能效優化方法，具體為：首先基站初始化計算用戶密度臨界值λ0(α)，根據用戶發送的導頻信號確定當前路徑損耗因子α0，然后基站根據已經使用的信道個數計算當前小區用戶密度λ′，最后判斷如果當前小區用戶密度λ′小于λ0(α0)時，則調用等功率控制算法，否則調用信道反轉功率控制算法。本發明適用于用戶端配備單天線，基站端配備任意天線的小區場景，能夠提高低用戶密度小區上行鏈路的能量效率，從而提升整個網絡上行鏈路的能效。
華中科技大學
2021-04-11
一種閾值電壓可調的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途
本發明公開了一種閾值電壓可調的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途，薄膜晶體管的頂柵、阻擋層、存儲層、隧穿層及溝道層構成了頂柵型存儲器；薄膜晶體管的溝道層、底柵氧化層及底柵構成了底柵型TFT。通過對頂柵型存儲器進行操作實現非易失性存儲器的“編程/擦除”操作，通過對底柵型TFT進行操作實現非易失性存儲器的“讀”操作。“編程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“讀”操作的分離，提升了存儲器的存儲窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
東南大學
2021-04-11
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備方法
本發明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學
2021-04-14