葡京娱乐场-富盈娱乐场开户_百家乐试玩_sz全讯网网址xb112 (中国)·官方网站

本研究設(shè)計(jì)并合成了無定型 Ag-Bi-S-O 修飾的 Bi 0 納米顆粒，將其應(yīng)用于二氧化碳電還原反應(yīng)中 （圖 1 ） 。 該研究工作首先通過溶劑熱法制備了 AgBiS 2 納米棒，并將其在空氣中煅燒處理，得到了組成為 Ag 0.95 BiS 0.75 O 3.1 的雙金屬硫氧復(fù)合物納米棒。在進(jìn)一步電化學(xué)還原預(yù)處理后，該復(fù)合物被轉(zhuǎn)化為無定型 Ag-Bi-S-O 修飾的 Bi 0 納米顆粒。這種新型二氧化碳電還原催化劑在僅有 450 mV  的過電位下，實(shí)現(xiàn)了高達(dá) 94.3% 的甲酸法拉第效率和 12.52 m A/ cm 2 的甲酸部分電流密度。通過與 AgBiS 2 、 Bi 硫氧復(fù)合物及 Bi 2 S 3 參比樣品進(jìn)行對比，發(fā)現(xiàn)在電化學(xué)還原預(yù)處理過程中，金屬硫化物中的 -2 價(jià)硫會轉(zhuǎn)化為 H 2 S 并離開電極表面，只有金屬硫氧復(fù)合物中被氧化為 +6 價(jià)的硫能保留在催化劑中。后續(xù)實(shí)驗(yàn)表明 ，這一部分硫能促進(jìn)水的解離，而甲酸形成過程中所需的 H + 正是來自于 H 2 O 。因此，甲酸的生成被極大程度地促進(jìn)。另一方面， Ag-Bi-S-O 修飾 Bi 0 納米顆粒中的 Ag ，有利于電荷在電極中傳遞，提高了催化劑的電流密度。在過電位為 450 mV  時(shí)，更大的電流密度可以提高陰極附近的局域 pH ，而更大的局域 pH 能進(jìn)一步提升硫促進(jìn)水解離的效用，同時(shí)抑制氫析出反應(yīng)的發(fā)生。因此，無定型 Ag-Bi-S-O 修飾的 Bi 0 納米顆粒可以在極低的過電位下將二氧化碳高活性、高選擇性地轉(zhuǎn)化為甲酸。

在金屬鋰-硫二次電池中，鋰與硫完全反應(yīng)后生成 Li2 S ，能夠發(fā)生多電子反應(yīng)(2個(gè)電子反應(yīng))，釋放出超常的電化學(xué)容量，其電極理論比容量為1672mAh/g，以此構(gòu)建的電池體系理論能量密度將達(dá)到2600Wh/kg，完全可以滿足現(xiàn)代信息技術(shù)和電動汽車領(lǐng)域?qū)瘜W(xué)電源高能量密度和安全性的要求。但是金屬鋰容易形成枝晶而引發(fā)安全問題。單質(zhì)硫正極材料具有導(dǎo)電性能低，特別是在有機(jī)電解液中的溶解性制約了其在高能二次電池體系中的發(fā)展。 本課題采用室溫離子液體做電解液，提出了用“納

焦化廠外排廢水含高濃度有毒、難降解的氰化物、COD及氨氮稱為焦化廢水，是一種較難處理的有機(jī)廢水，傳統(tǒng)處理方法后無法達(dá)標(biāo)。隨著國家對環(huán)保問題的的日益重視以及國民環(huán)保意識的不斷提高，廢水的排放標(biāo)準(zhǔn)也變得更為嚴(yán)格。各國學(xué)者經(jīng)過不斷的探索研究出了一些新的焦化廢水處理技術(shù)，如：電化學(xué)氧化技術(shù)、光催化氧化技術(shù)、膜技術(shù)等。這些技術(shù)對焦化廢水中的污染物處理的較為徹底且不會產(chǎn)生二次污染，但是這些技術(shù)投資成本和運(yùn)行成本較高并且很多仍處于理論研究和實(shí)驗(yàn)室研究階段，較難實(shí)現(xiàn)大規(guī)模工業(yè)化應(yīng)用。

二丙二醇也稱一縮二丙二醇。本技術(shù)以丙二醇、環(huán)氧丙烷為主要原料，采用低壓液相法催 化合成二丙二醇。同現(xiàn)有工藝相比，本技術(shù)具有設(shè)備投資小，催化劑活性高，操作能耗低，產(chǎn) 品收率高等優(yōu)點(diǎn)，具有較強(qiáng)的競爭優(yōu)勢。 對于年產(chǎn)3000噸二丙二醇，設(shè)備投資約400萬元。主要設(shè)備包括：反應(yīng)釜、貯罐、產(chǎn)品精 餾塔等。

二丙二醇也稱一縮二丙二醇，本技術(shù)以丙二醇、環(huán)氧丙烷為主要原料，采用低壓液相法催化合成二丙二醇。同現(xiàn)有工藝相比，本技術(shù)具有設(shè)備投資小，催化劑活性高，操作能耗低，產(chǎn)品收率高等優(yōu)點(diǎn)，具有較強(qiáng)的競爭優(yōu)勢。對于年產(chǎn)3000噸二丙二醇，設(shè)備投資約240萬。主要設(shè)備包括：反應(yīng)釜、貯罐、產(chǎn)品精餾塔等。

在“東南大學(xué)十大科學(xué)與技術(shù)問題”啟動培育基金的資助下，江蘇省“分子鐵電科學(xué)與應(yīng)用”重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究團(tuán)隊(duì)在分子壓電領(lǐng)域取得重要進(jìn)展，發(fā)現(xiàn)了首例二茂鐵基鈣鈦礦壓電材料。 有機(jī)無機(jī)雜化鈣鈦礦（通式為ABX3）由于其在太陽能電池、光電探測器、電致發(fā)光、壓電等高新科技領(lǐng)域中可觀的發(fā)展?jié)摿Χ鴤涫軐ＷⅰＴ陔s化鈣鈦礦領(lǐng)域，因其優(yōu)異的結(jié)構(gòu)多樣性和化學(xué)可調(diào)性，涌現(xiàn)出了各種結(jié)構(gòu)新穎和性能卓越的壓電和鐵電材料。然而，迄今為止報(bào)道的雜化鈣鈦礦壓電體中，A位的成分幾乎都是純有機(jī)胺離子。自1951年以來，二茂鐵的問世掀起了有機(jī)金屬化學(xué)的革命。基于二茂鐵的有機(jī)金屬化合物由于其性能的多樣性和功能的豐富性在納米醫(yī)學(xué)，生物傳感，催化和氧化還原等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。經(jīng)過多年發(fā)展，二茂鐵基有機(jī)金屬化合物在鐵磁和鐵彈等領(lǐng)域也取得了重大突破。然而，基于二茂鐵基陽離子的鈣鈦礦壓電材料此前仍是一片空白。 在“鐵電化學(xué)”理論（針對鐵電體的分子設(shè)計(jì)原理）的啟發(fā)和指導(dǎo)下，我們發(fā)現(xiàn)以二茂鐵基組分作為陽離子來代替有機(jī)胺是可行的，并構(gòu)筑了一類新型的二茂鐵基鈣鈦礦壓電材料：[（二茂鐵基甲基）三甲基銨]PbI3 ((FMTMA)PbI3), (FMTMA)PbBr2I和 (FMTMA)PbCl2I。得益于二茂鐵基陽離子的穩(wěn)定性，通過陰離子骨架中的鹵素調(diào)控使材料的性能得到顯著提升，獲得了與LiNbO3相當(dāng)?shù)某錾珘弘娦阅懿⒓婢咄怀龅陌雽?dǎo)體特性。基于該材料所制備的壓電能量收集裝置展現(xiàn)了其優(yōu)異的機(jī)電能量轉(zhuǎn)換性能。這項(xiàng)工作為鈣鈦礦壓電材料的研究開辟了新的篇章，將激發(fā)對二茂鐵基鈣鈦礦材料的進(jìn)一步研究。

具有超高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定和可批量制備特點(diǎn)的全新二維半導(dǎo)體芯片材料（硒氧化鉍，Bi 2 O 2 Se），在場效應(yīng)晶體管器件、量子輸運(yùn)和可見光探測方面展現(xiàn)出優(yōu)異性能。由Bi 2 O 2 Se制備成的原型光電探測器件具有很寬的光譜響應(yīng)(從可見光到1700 nm短波紅外區(qū))，并同時(shí)具有很高的靈敏度(在近紅外二區(qū)1200nm處靈敏度高達(dá)~65A/W)。 而利用飛秒激光器組建的超快光電流動態(tài)掃描顯示Bi 2 O 2 Se光電探測器具有約1皮秒（10 -12 秒）的本征超快光電流響應(yīng)時(shí)間。化合物由交替堆疊的Bi 2 O 2 和Se層組成，晶體中氧的存在，使其在空氣中具有極佳的穩(wěn)定性，完全可暴露于空氣中存放數(shù)月且保持穩(wěn)定。

本發(fā)明公開了一種二硒化鈷/碳納米材料，包括基底、厚度為 1 μm～2μm 的 CoSe2 層以及厚度為 1nm～10nm 的無定形碳層，所述 CoSe2 層生長于所述基底表面，呈現(xiàn)三維片狀結(jié)構(gòu)，所述無定形碳層 附著于所述 CoSe2 層表面，且所述 CoSe2 層與所述無定形碳層的質(zhì)量 比為 90:1～1800:1，所述基底為鈦片或鈦絲。本發(fā)明通過將無定形碳 層附著于 CoSe2 材料表面，從而提高了納米材料的循環(huán)穩(wěn)定性，從而

本 發(fā) 明 公 開 了 三 種 新 的 二 元 金 屬 鹽 鈣 鈦 礦 材 料 AB¹B²X3(X：Cl、Br、I)及其制備方法，以及 其在多種結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽能電池制備中應(yīng)用，屬于新材料太陽能電 池 領(lǐng) 域 。 本材料由有機(jī)鹵化物 <img file=""DDA0000889538320000011.GIF"" wi=""508"" he=""77"" /&g

本發(fā)明公開了一種二維納米 SnSe2 晶體材料的制備方法，采用 化學(xué)氣相沉積法用單質(zhì)硒和鹵化錫在襯底上沉積所需厚度的 SnSe2 晶 體；其中，沉積設(shè)備為水平管式爐，順序設(shè)有上游低溫區(qū)、中心溫區(qū) 以及下游低溫區(qū)，所述單質(zhì)硒和鹵化錫分別獨(dú)立但緊靠放置于上游低 溫區(qū)，所述襯底放置于下游低溫區(qū)；利用不同溫區(qū)的溫度差，單質(zhì)硒 蒸汽和鹵化錫蒸汽形成于上游低溫區(qū)；兩者反應(yīng)生成 SnSe2，并通過 沉積載氣帶入下游溫區(qū)，在襯底上沉