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本技術(shù)可以獲取各種單一氧化物和多元氧化物納米薄膜，以及疊層氧化物納米薄膜。可用于提高金屬的抗腐蝕性能以及獲得多種特殊功能，如鐵電性能、磁性能、電致變色、化學(xué)催化、超導(dǎo)、光電轉(zhuǎn)換等。 本技術(shù)可以獲得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的單一氧化物或它們的多元氧化物納米薄膜，厚度<0.2um。氧化物薄膜質(zhì)量優(yōu)于溶膠凝膠法，厚度均勻，根據(jù)需要可以控制厚度膜。先后沉積不同的氧化物薄膜可以獲得疊層氧化物納米薄膜。制備過程簡單，重現(xiàn)性好是本技術(shù)的優(yōu)勢。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

本發(fā)明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結(jié)構(gòu)、多個(gè)層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結(jié)構(gòu)為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學(xué)氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進(jìn)入反應(yīng)的時(shí)間和反應(yīng)溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬

本發(fā)明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結(jié)構(gòu)、多個(gè)層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結(jié)構(gòu)為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學(xué)氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進(jìn)入反應(yīng)的時(shí)間和反應(yīng)溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬

一、項(xiàng)目簡介碳酸二苯酯（DPC）是一種毒性小、無污染的重要工程塑料中間體，可用于合成許多重要的有機(jī)化合物及高分子材料，如聚碳酸酯、對(duì)羥基苯甲酸甲酯、單異氰酸酯、二異氰酸酯等；還可作為聚酰胺和聚酯的增塑劑、溶劑和熱載體等。近年來，隨著對(duì)環(huán)境友好的以DPC和雙酚A為原料合成高品質(zhì)聚碳酸酯（PC）新工藝的開發(fā)，使DPC成為引人注目的化合物，世界范圍內(nèi)對(duì)DPC的需求也日益增大。采用苯酚氧化羰基化法合成碳酸二苯酯的主要原料為苯酚、CO和O2，較之目前工業(yè)上采用的光氣法，不僅可降低成本，而且在生產(chǎn)過程中原料及中間體無劇毒，不腐蝕設(shè)備，對(duì)環(huán)境保護(hù)具有重要意義。目前，針對(duì)苯酚氧化羰基化法合成DPC過程開發(fā)出了一種新型高效負(fù)載型催化劑PdCl2-Cu(OAc)2/HZSM-5，DPC收率達(dá)到40%。二、市場前景  隨著PC清潔生產(chǎn)技術(shù)在國際上推廣應(yīng)用，以及我國引進(jìn)技術(shù)自行開發(fā)的大型PC裝置的建成投產(chǎn)，DPC的市場需求量將迅速增加，使得清潔生產(chǎn)DPC的技術(shù)成為國內(nèi)外化學(xué)化工界關(guān)注和研究開發(fā)的熱點(diǎn)之一。目前生產(chǎn)DPC的工業(yè)方法是以光氣和苯酚為原料，但是光氣的劇毒和強(qiáng)腐蝕性以及相當(dāng)數(shù)量的無機(jī)鹽的生成，使該法對(duì)生產(chǎn)安全、環(huán)境保護(hù)都十分不利，而且此法的生產(chǎn)規(guī)模小，成本較高，產(chǎn)品質(zhì)量難以滿足電子信息等朝陽行業(yè)的要求，面臨著被淘汰的局面。苯酚氧化羰化法合成DPC為簡單的一步反應(yīng)，此方法與其它方法相比，具有無污染、無有毒鹽生成的優(yōu)點(diǎn)。它不僅克服了光氣法存在的缺點(diǎn)，而且與酯交換法相比，原料為初級(jí)化工產(chǎn)品，可降低消耗成本。該方法工藝簡單、流程短，具有廣闊的市場前景。三、合作方式尋求中試合作。

主流硅基芯片CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)正面臨短溝道效應(yīng)等物理規(guī)律和制造成本的限制，需要開發(fā)基于新材料和新原理的晶體管技術(shù)來延續(xù)摩爾定律。高遷移率二維半導(dǎo)體因其超薄的平面結(jié)構(gòu)和獨(dú)特的電子學(xué)性質(zhì)，有望成為“后摩爾時(shí)代”高性能電子器件和數(shù)字集成電路的理想溝道材料，進(jìn)一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對(duì)溝道材料的苛刻要求，二維半導(dǎo)體單晶薄膜的大面積制備尤為關(guān)鍵與重要。然而，現(xiàn)有二維半導(dǎo)體材料體系（過渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現(xiàn)實(shí)要求，因此亟需實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)二維半導(dǎo)體單晶薄膜制備技術(shù)的突破。 該研究瞄準(zhǔn)二維半導(dǎo)體材料的晶圓級(jí)單晶制備，率先實(shí)現(xiàn)了同時(shí)具有高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定的二維半導(dǎo)體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長。他們基于自主設(shè)計(jì)搭建的雙溫區(qū)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強(qiáng)的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級(jí)單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現(xiàn)出優(yōu)異的材料和電學(xué)均勻性，可被用于批量構(gòu)筑高性能場效應(yīng)晶體管。基于晶圓級(jí)二維Bi2O2Se單晶薄膜的標(biāo)準(zhǔn)頂柵型場效應(yīng)晶體管展現(xiàn)了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關(guān)比（>105）和較高的開態(tài)電流（45μA/μm）。相關(guān)成果發(fā)表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。

本發(fā)明提供了一種三氧化鎢/聚苯胺核殼納米線陣列變色薄膜及其制備方法，其方法包括：將白鎢酸溶于過氧化氫水溶液，配制成過氧化鎢酸溶液；將過氧化鎢酸溶液涂在清潔干凈的導(dǎo)電基底的導(dǎo)電面上；將鎢鹽溶于醇中，形成前軀體溶液，將導(dǎo)電基底固定于反應(yīng)釜中，將前軀體溶液加入反應(yīng)釜中，在150～250℃反應(yīng)8～16h，取出后再在300～450℃熱處理1～3h，得到三氧化鎢納米線陣列；將苯胺與稀硫酸混合，形成用于制備聚苯胺的電解液，電聚合聚苯胺即得。該制備工藝控制方便，制造成本較低，易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化。該薄膜具有光譜調(diào)節(jié)范圍大、變色種類豐富、著色效率高、響應(yīng)速度快、循環(huán)壽命長等優(yōu)點(diǎn)。

已有樣品/n該項(xiàng)目提供了一種新型低輻射薄膜，分別采用金屬薄銀層來抑制長波長紅外波和短波長紫外波的透射，采用周期性結(jié)構(gòu)來增強(qiáng)可見光波段的透射；對(duì)可見光的透射率達(dá)到70~96%，對(duì)紫外波段的透射率降低到15%、對(duì)780nm~1200nm 紅外波段的透射率降低到10%以下、對(duì)1200nm~3000nm 紅外波段的透射率降低到25%以下，層數(shù)顯著降低，很大程度上縮減了成本，簡化了工藝流程。該項(xiàng)目提供的薄膜具有防紫外線、透明和

產(chǎn)品特點(diǎn)： · 整機(jī)功能集成化，外觀簡潔、大方 · 電氣化控制簡潔、實(shí)用 · 內(nèi)部結(jié)構(gòu)采用多分區(qū)、模塊化設(shè)計(jì)，滿足不同工藝下使用要求 · 設(shè)備可以整體移動(dòng)、固定，對(duì)于需要在不同環(huán)境使用具有較高適用性。 · 操作、維護(hù)方便，性能安全可靠 · 可以通過不同的萃取時(shí)間、方案，完全模擬出萃取線的過程及其結(jié)果 產(chǎn)品應(yīng)用： · 開發(fā)新的薄膜配方和材料 · 測試新的薄膜表面/添加劑 · 驗(yàn)證薄膜生產(chǎn)工藝條件 · 測試不同萃取方案對(duì)于材料的影響 · 萃取后薄膜樣品性能測試 · 小批量薄膜生產(chǎn) 技術(shù)參數(shù)： · 萃取樣品尺寸規(guī)格——850mm×850mm · 樣品薄膜厚度——20 - 5000 μm · 內(nèi)部分區(qū)——3區(qū) · 萃取介質(zhì)進(jìn)出——雙泵單獨(dú)控制 · 輔助萃取（可選）——強(qiáng)力超聲波發(fā)生器 · 設(shè)備尺寸—— 1m×1m×1.3m （長×寬×高）

產(chǎn)品特點(diǎn)： · 符合人體工程學(xué)設(shè)計(jì) · 簡單、直觀的電氣化控制 · 通過循環(huán)空氣或紅外加熱，薄膜達(dá)到精確、可靠的溫度 · 通過精準(zhǔn)的溫度平衡實(shí)現(xiàn)完美的工藝控制 · 調(diào)試維修方便簡單，使用性能可靠 · 可進(jìn)行縱向、橫向或在任何位置的雙向同步或異步拉伸 · 可通過不同拉伸速度拉伸薄膜，完美模擬薄膜拉伸流水線工藝 產(chǎn)品應(yīng)用： · 開發(fā)新的薄膜配方和材料 · 測試新的薄膜表面/添加劑 · 驗(yàn)證薄膜生產(chǎn)工藝條件 · 測試不同萃取方案對(duì)于材料的影響 · 萃取后薄膜樣品性能測試 · 小批量薄膜生產(chǎn) 技術(shù)參數(shù)： · 設(shè)備配置——5鋏子配置 · 推薦的初始樣品膜尺寸——80mm×80mm · 拉伸比率——10：10 · 最大拉伸尺寸——780mm×780mm（包含鋏頭區(qū)域） · 拉伸樣品膜厚度——20 - 5000 μm · 拉伸速度——500mm/S · 最大夾緊力——1000N · 每一軸拉伸力——2000N · 設(shè)備尺寸——4m×2m×2m（長×寬×高） · 拉伸樣品膜加熱系統(tǒng)可到300°C