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采用高性能200W像素1/2.8英寸CMOS圖像傳感器，低照度效果好，圖像清晰度高 可輸出200萬(1920X1080)@25fps 支持H.265編碼，壓縮比高，超低碼流 支持CVBS/SDI輸出 最大紅外監(jiān)控距離30米 支持防閃爍，寬動態(tài)，3D降噪，強光抑制，背光補償，數(shù)字水印，電子防抖，適用不同監(jiān)控環(huán)境 支持H.264H,H.264,H264B,H.265，靈活編碼，適用不同帶寬和存儲環(huán)境 支持遮擋報警，虛焦偵測，SD卡異常，網(wǎng)絡異常，非法訪問，動態(tài)檢測，區(qū)域入侵，絆線入侵，物品遺留/消失，場景變更，徘徊檢測，全局配置，快速移動，人員聚集，非法停車，音頻異常偵測，人臉偵測，外部報警，起立檢測，客流量統(tǒng)計，區(qū)域人數(shù)統(tǒng)計,熱度圖 支持報警2進2出，音頻1進1出，RS485，BNC，128G SD卡，內置MIC 支持DC12V/POE供電方式，支持電源返送，最大電流1A,方便工程安裝 支持IP67防護等級 類別 參數(shù) 參數(shù)值 外觀 紅外槍 傳感器類型 1/2.8英寸CMOS 最大分辨率 200萬 掃描方式 逐行掃描 電子快門 1/3s~1/100000s;可手動或自動調節(jié) 最低照度 0.002Lux(彩色模式);0.0002Lux(黑白模式);0Lux(紅外燈開啟) 信噪比 ＞56dB 最大補光距離 30米 補光燈數(shù)量 雙燈 強光抑制 支持 外調焦 支持 鏡頭類型 定焦 鏡頭接口 M12 鏡頭焦距 3.6mm 鏡頭光圈 3.6mm:F1.8 視場角 3.6mm:水平:76°;垂直:46° 對角:80.5° 光圈控制 固定 近攝距 3.6mm：0.9mm 智能 支持 智能功能 支持遮擋報警，虛焦偵測，SD卡異常，網(wǎng)絡異常，非法訪問，動態(tài)檢測，區(qū)域入侵，絆線入侵，物品遺留/消失，場景變更，徘徊檢測，全局配置，快速移動，人員聚集，非法停車，音頻異常偵測，人臉偵測，外部報警，起立檢 測，客流量統(tǒng)計，區(qū)域人數(shù)統(tǒng)計，熱度圖,并且可以與報警聯(lián)動;支持多種觸發(fā)規(guī)則聯(lián)動動作;支持目標過濾

本設備適用于高等院校及要求較高的中專、技校、職業(yè)學校，可完成電工學、電工原理、電路分析、模擬電子技術、教字電路,電氣控制設備等課程實驗。該設備是現(xiàn)有實驗室設備的更新?lián)Q代或新建、擴建實驗室的理想產(chǎn)品,它的配備是學校上水平、上等級的重要標志。 ? 一、用途、特點: ?　　目前，國內各類學校電工、模擬、數(shù)字電路、電氣控制實驗大多是分體的，也有部分學校根據(jù)教學要求自制各種形式的實驗設備，由于工量少，受自身加工能力的限制，加工工藝粗糙，功能不全，滿足不了實驗要求，也容易發(fā)生人身及設備事故，且實驗元器件繁多難購置、難以管理，很難開出實驗大綱規(guī)定的實驗。基此，我廠吸取德國及國內同類產(chǎn)品的優(yōu)點，結合我國高教，職教教學大綱要求而研制本系列產(chǎn)品。 　　實驗臺具有較完善的安全保護措施，較齊全的功能。實驗操作桌中央配有通用電路插扳，電路插板注塑而成，表面均布有九孔成一組相互聯(lián)通的插孔，元件盒在其上任意拼插成實驗電路；元件盒盒體透明，直觀性好，盒蓋印有永不褪色元件符號，線條清晰美觀。盒體與盒蓋采用較科學的壓卡式結構，維修、更換元件拆裝方便。元器件放置在實驗操作桌下邊左右柜內，實驗時取存方便，大大提高了管理水平，規(guī)劃化程度，大大減輕了教師實驗準備工作。 　?二、結構與配備 1、實驗臺桌:見彩圖，一臺二座，臺桌外形尺寸:160X70X8Ocm。臺桌中央配置通用電路板。每張臺桌配一粒膠皮板，以保護通用電路板及桌面(如需要在其上放置電機、焊接等)。臺桌下都是元件儲存柜，放置元器件。 2、實驗臺:共12臺，每張學生實驗操作桌上配置l臺 3、示教臺:1臺示教臺，分別控制12臺學生的電源，通用電路板演示屏立在實驗臺上，尺寸150X7Ocm，用于講解、演示。 4、器材配備: 39只指針式1.5級直流電流表、13只MF500萬用表，13只數(shù)字萬用表.25套電烙鐵和烙鐵架、13套剝線鉗、尖嘴鉗、螺絲刀等工具，13套實驗所需的電阻.電位器.電感、電容.集成電路.變壓器.條形磁鐵.邏輯電平開關、邏輯電平顯示 .91只集成座等元件單元盒(元件已裝在單元盒內)，25張塑料凳。 5·用戶自備器材:雙蹤示波器(型號不限)，功率表、滑線變阻器、毫伏表 三、實驗項目: ? 實驗內容1、模擬部分實驗 1·二極管的正、反相特性　　　　 2·晶體三極管的輸入、輸出特性　 3·晶體管共射極單管放大器　　　 4·兩級阻客搞合放大電路　　　　 5·負反饋對放大器性能的影響　　 6·場效應管放大器　　　　　　　 7·差動放大電路　　　　　　　　 8·運算放大器指標測試　　　　　 9·集成運算放大器的基本應用(多種模擬運算電路)　 10·集成運算放大器非線性應用（多種波形發(fā)生器）　 11· 變壓器耦合推挽功率放大器 12·OTL功率放大器 13· 集成功率放大器 14·單相橋式整流電路 15·串聯(lián)型晶體管直流穩(wěn)壓電源(設計性實驗) 16·集成直流穗壓電源 17·單結晶體管特性 18·單結晶體管觸發(fā)電路 19·晶閘管簡單測試 20·晶閘管可控整流電路 利用上述20項實驗元器件還可完成下面實驗項目 l·電壓負反饋偏置電路　　　　　　 2·分壓式電流負反債偏置電路　　　 3·用二極管穗定工作點　　　　　　 4·共基極放大電路　　　　　　　? 5·共集電極放大電路　　　　　　? 6·共源極基本放大電路? 7·場效應管共漏極電路 8·場效應管共柵極電路 9·單管阻客放大電路 10·變壓器耦合放大電路 11·甲類功率放大電路 12·串聯(lián)電流負反饋電路 13·串聯(lián)電壓負反饋電路 14·并聯(lián)電壓負反饋電路 15·串聯(lián)型晶體管直流穩(wěn)壓電源(設計性實驗) 16·共基共射極放大電路 17·自舉射極輸出電路? 18·NPN一PNP直接耦合放大電路 19·用負反饋消除自激根箔 20·晶體管開關作用 21·變壓器反饋式振蕩電路 22·電容三點式振蕩電路 23·電感三點式振蕩電路 24·差動放大電路的基本形式 25·長尾式差動放大電路 26·雙電源長尾式差動放大電路 27·運放用作交流比例放大 28·反相輸入保護措施 29·同相輸入保護措施 30·電源極性錯接的保護 31·RC高通電路 32·利用三極管來保護器件 33·差動輸入運算電路 34·快速積分電路 35·模擬一階微分方程電路 36·模擬二階微分方程電路 37·基本對數(shù)運算電路 38·實用微分電路 39·反對數(shù)放大基本電路 40·簡單的過零比較電路 ? 41·利用二級管作為上限檢測幅度選擇電路 42·下限幅度選擇電路 43·RC無源網(wǎng)絡的低通濾波電路 44·同相輸入一階低通濾波電路 45·反相輸入一階低通濾波電路 46·簡單的二階RC濾波電路 47·典型二階RC有源低通濾波電路 48.典型二階高通有源濾波電路 49·基本帶通濾波電路 50·典型帶通濾波電路 51·矩型波振蕩電路 52·寬度可調的矩形波發(fā)生器 53·幅頻可調的鋸齒波發(fā)生器 54·單相半波整流電路 55·單相全波整流電路 56·電容濾波電路 57·電容濾波帶電阻負載 58·RC濾波電路 59·基本LC濾波電路 60·二倍壓整流電路 61·三倍壓整流電路 62·基本穩(wěn)壓電路 63．基本調整管穩(wěn)壓電路 64·具有放大環(huán)節(jié)的穩(wěn)壓電路 65·單相半波可控硅整流 66·電子調壓電路 67·電子催眠器一一趣味性實驗一 68·電子門鈴電路一一趣味性實驗二 69·電子報警電路一一趣味性實驗三 15·并聯(lián)電流負反饋電路 2、數(shù)字部分實驗 l·TTL集成邁林門的參數(shù)測試 2．CMOS邏輯門的參數(shù)測試 3．TTL集成電極開路門與三態(tài)輸出門的應用 4·與、非·或、與非門電路實驗 5·半加器電路實驗 6·全加器電路實驗 7．RS觸發(fā)器實驗 8．D觸發(fā)器實驗 9．JK觸發(fā)器實驗 IO·T觸發(fā)器實驗 11．JK型觸發(fā)器轉換成D觸發(fā)器 12·D型觸發(fā)器轉換成JK觸發(fā)器 l3。計數(shù)器實驗 14·MSI移位寄存器及其應用 15·譯碼器及其變換方式 16·MSI數(shù)據(jù)選擇器及邏輯設計 17·微分型單穩(wěn)態(tài)電路? 18·環(huán)形多諧振薄器? 19·利用門電路構成編碼器，分配器、選擇器 20·組合電路的設計之一一一編碼轉換? 21．組合電路的設計之二一一顯示電路 22·同步時序電路的設計 23·計算機時序電路的設計 24·集成定時器測試及應用 25·CMOS集成A/D、D/A轉換電路實驗 26·二極管非門·或非門電路 27·三極管非門、與非門、或非門電路 28·異步十進制減法計數(shù)器 29·異步十進制加法計數(shù)器 30·綜合能力培訓實驗一一電子秒表

產(chǎn)品詳細介紹小型節(jié)能回流焊530上三下二/五溫區(qū)回流焊QS-F530  http://www.qinsidianzi.com/

本發(fā)明涉及一種納米結構的氧化亞銅基PIN結太陽能電池及其制備方法。該太陽能電池結構包括：襯底；P型氧化亞銅納米線陣列，該P型氧化亞銅納米線陣列生長在襯底上；絕緣層，該絕緣層沉積在P型氧化亞銅納米線陣列表面；N型層，該N型層填充在絕緣層外并且形成一層薄膜；N型歐姆電極，該N型歐姆電極制作在N型層上；P型歐姆電極，該P型歐姆電極制作在P型氧化亞銅納米線陣列層上。本發(fā)明中納米線陣列結構可提高電池的結面積，減小載流子的擴散距離，PIN結構可有效增大耗盡層寬度，大大提高載流子的分離和收集效率，從而提高太陽能電池的能量轉換效率。本發(fā)明采用的原料豐富、廉價、無污染，采用的制備方法有電化學沉積法、磁控濺射法及電子束蒸發(fā)法，都可以大規(guī)模應用于工業(yè)生產(chǎn)中，有廣闊的發(fā)展前景。

新能源學院趙學波教授領銜的氫能團隊在具有工業(yè)應用前景的丙烷氧化脫氫制丙烯高性能催化劑研究方面取得新進展，相關論文《含硼金屬有機框架化合物衍生的球形超結構氮化硼納米片》（A Spherical Superstructure of Boron Nitride Nanosheets Derived from Boron-Contained Metal-Organic Frameworks）在國際化學領域頂級期刊Journal of the American Chemical Society發(fā)表。我校2016級博士生曹磊、新能源學院代鵬程副教授為該論文共同第一作者，新能源學院趙學波教授、代鵬程副教授、昆士蘭大學Yusuke Yamauchi教授為共同通訊作者，中國石油大學（華東）為第一署名單位。 丙烯是極為重要的大宗化工基礎原料，后續(xù)衍生出的眾多有機化工產(chǎn)品在建筑、汽車、包裝紡織等領域有廣泛應用。近年來隨著丙烯下游產(chǎn)業(yè)規(guī)模的迅速擴張，傳統(tǒng)的丙烯來源已無法滿足市場需求，因而亟需開發(fā)新的丙烯來源。丙烷氧化脫氫制丙烯具有底物轉化率高、工藝能耗低和無積碳不易失活等優(yōu)勢，極具工業(yè)應用前景。但是由于產(chǎn)物丙烯容易與氧化劑發(fā)生過度氧化，降低了目標產(chǎn)物的選擇性，從而讓丙烷氧化脫氫工藝一直無法達到工業(yè)化的要求。因此，開發(fā)一種高效催化劑，抑制過度氧化，提升產(chǎn)物中丙烯的選擇性是推動丙烷氧化脫氫發(fā)展最直接有效的手段。 氮化硼是目前烯烴選擇性最高的丙烷氧化脫氫催化劑，但是單程烯烴收率離工業(yè)化需求仍有一定差距。通過可控合成提高活性物種在氮化硼表面的含量和分散度是一種提升催化性能的有效途徑。構建分層的三維結構，尤其是基于二維氮化硼納米片為基本單元的球狀三維結構，有助于提高邊緣活性物種的含量。除豐富的邊緣活性位點外，特殊的三維球狀結構促使反應混合氣沿著球面進行有效地擴散并充分與活性位接觸，提高催化劑的催化活性。然而迄今為止，如何控制氮化硼納米片自組裝形成三維球狀超結構仍是一個充滿挑戰(zhàn)性的工作。 針對上述問題，研究人員以金屬有機框架化合物（MOFs）為前驅體，通過溶劑熱轉換的方式制備了三維球形超結構MOFs納米片（SS-MOFNSs），并進一步以SS-MOFNSs為自犧牲模板，制備了球形超結構氮化硼納米片（SS-BNNSs）催化劑。 SS-BNNSs在丙烷氧化脫氫反應中表現(xiàn)出了優(yōu)異的催化性能，510 ºC的操作溫度下，產(chǎn)物中烯烴的收率達到了40.2%（丙烯，27.8%；乙烯，12.4%），遠超商業(yè)化的氮化硼納米片（丙烯，23.8%；乙烯，8.6%）和高比表面積的氮化硼纖維（丙烯，20.7%；乙烯，10.2%）。通過系統(tǒng)的表征可以發(fā)現(xiàn)，SS-BNNSs表面富含B-OH，讓催化劑無須活化就可以直接催化反應進行，同時特殊的結構優(yōu)勢提高了活性物種的分散度，利于反應氣與活性位點快速接觸和產(chǎn)物丙烯的迅速脫附，提升了產(chǎn)物丙烯的單程收率。SS-BNNSs自組裝的構造過程和結構優(yōu)勢帶來的性能提升拓寬了催化劑的設計思路。 該研究成果獲得審稿專家充分肯定，審稿專家一致認為該工作提出的含硼MOFs衍生三維超結構氮化硼納米片具有很好的創(chuàng)新性，其作為丙烷氧化脫氫催化劑表現(xiàn)出的高烯烴收率在工業(yè)應用方面具有較大潛力，為丙烷氧化脫氫催化劑的研究提供了新的參考。

【發(fā) 明 人】李念光；唐于平；段金廒【技術領域】本發(fā)明涉及藥物化學研究領域，具體涉及一類新型的帶有一氧化氮供體的芳香酸前體藥物，以及它的制備方法和在抗血栓或抗腦缺血疾病中的應用。【摘要】本發(fā)明涉及藥物化學研究領域，具體公開了一類新型的帶有一氧化氮供體的芳香酸前體藥物，以及它的制備方法和在防治血栓性疾病中的應用。本發(fā)明對具有抗血栓作用強的天然芳香酸化合物進行結構修飾，將其羧酸基團與一氧化氮供體結合，得到脂溶性好的一氧化氮供體型芳香酸前藥，本發(fā)明提供的帶有一氧化氮供體的芳香酸前體藥物的溶解性好，可有效透過生物膜脂質雙分子層，可提高人體服用后生物利用度，并且前體藥物能夠分解為芳香酸類化合物和釋放出一氧化氮，二者可以協(xié)同發(fā)揮抗血栓、抗血小板聚集等藥理活性。本發(fā)明提供的帶有一氧化氮供體的芳香酸前體藥物可用于防治血栓性疾病和腦缺血性疾病。

本發(fā)明公開了一種中溫平板式固體氧化物燃料電池堆密封物及 其制備方法，該密封材料主要分為三層：兩層玻璃基密封材料中間夾 一層 Al2O3 基密封材料。玻璃基密封材料包括：BaO-B2O3-SiO2 玻璃 體系和質量百分比為 1～5％的 YSZ 粉，Al2O3 基密封材料包括：Al2O3 和質量百分比為 10～30％的 Al 粉。兩種成分的密封材料通過流延成 型制備成可壓縮的復合密封材料，再經(jīng)熱壓成型為三明治結構密封材 料。按照本發(fā)明，結合玻璃基密封材料和 Al2O3 基密封材料各自優(yōu)勢， 減少密封材料的漏氣率，增加材料的力學性能，并以便于操作和加工 的密封方式來實現(xiàn)有效的氣體密封。

氧化鐵石墨烯復合材料目前涉及的電化學方面的應用包括鋰離子電池、超級電容器和燃料電池。氧化鐵（包括Fe3O4，α-Fe2O3和γ-Fe2O3）是制作電化學器件非常有前途的材料，不僅具有成本低、無毒性、化學穩(wěn)定性好等優(yōu)點，還具有較高的理論電容量。但在實際使用時又因為自身導電性的不足以及反應的循環(huán)穩(wěn)定性差等問題受到了限制。石墨烯因其具有超高的比表面積，較高的導電性，優(yōu)異的化學和熱力學穩(wěn)定性，以及獨特的光、熱、機械性能，成為了非常合適作為制作電化學能源存儲和轉化器件的材料。負載氧化鐵在石墨烯上，不僅能夠彌

中南民族大學廣播系統(tǒng)采購項目（第二次）競爭性磋商

東北大學智能制造綜合實驗平臺建設競爭性磋商