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一種帶有硫化鋁外殼的二硫化鉬納米粉末材料及其制備方法
（專利號：ZL 201410557617.3） 簡介：本發明公開了一種帶有硫化鋁(Al2S3)外殼的二硫化鉬(MoS2)納米粉末材料及其制備方法，屬于納米材料制備技術領域。該納米粉末材料為核殼結構，內核為MoS2納米顆粒，外殼為Al2S3層；所述MoS2內核的粒徑為10～100nm，所述Al2S3外殼層為非晶Al2S3層，其厚度為1～10nm。本發明采用等離子電弧放電法，將鉬粉和鋁粉按一定原子百分比壓制成塊體作為陽極材料，采用石墨作為陰極
安徽工業大學
2021-01-12
利用三嵌段聚合物合成具有光學性能的大孔二氧化硅材料
該方法首次利用自組裝的技術合成出大孔具有光學性能的二氧化硅材料，突破了用表面活性劑為模板很難合成出大孔徑材料的瓶頸，并且由于材料本身規則的孔結構結合二氧化硅本身的折射率產生肉眼可見的顏色，該合成方法技術成熟，重復性好，具有可操作性，該材料在光學器皿元件上有潛在的應用價值。
上海理工大學
2021-01-12
１，１－二吡唑甲烷雙核錳聚合物及其原位脫羧合成方法及應用
本發明公開了一種１，１?二吡唑甲烷雙核錳聚合物，還提供了該化合物的制備方法及催化應用。本發明具有工藝簡單、成本低廉、化學組分易于控制、重復性好并且產量高，催化效果優良等優點。
東南大學
2021-04-14
可實現純紫外發光的ＺｎＯ基異質結發光二極管的制備方法
本發明公開了一種可實現純紫外發光的ＺｎＯ基異質結發光二極管的制備方法，包括如下步驟：在藍寶石襯底上生長ｎ?ＺｎＯ納米線；采用磁控濺射法在ｐ?ＧａＮ上濺射一層ＡｌＮ薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制備具有歐姆接觸的金屬電極；將ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ緊扣在ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列上面形成異質結，構成完整的器件。本發明在藍寶石上直接生長ＺｎＯ納米棒陣列，提高ＺｎＯ結晶度，提高電學性能，有效消除晶體質量差的問題；引入ＡｌＮ隔離層，有效較少了結區的剩余電子，增加ＺｎＯ區載流子復合效率，實現純ＺｎＯ紫外發光；ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ異質結發光二極管，發光位置在３８５ｎｍ左右，半峰寬為１４．５ｎｍ。
東南大學
2021-04-11
分體彩屏水控機,二維碼水控機,4G水控機
產品詳細介紹產品介紹：1、脈沖流量計、電磁閥、刷卡收費控制器分體式設計，可靈活安裝；2、安裝方便簡單，適合浴室、澡堂、公寓等高濕度及各種惡劣環境使用；3、可以設定一張卡的用水量，超過額度拒絕用水；4、在冷水和熱水環境下均可使用；5、1.77寸彩屏顯示，可直觀顯示用戶姓名、卡號、余額、消費情況等信息；6、脫機工作可通過管理卡進行費率、參數等設置；7、自動識別持卡人的合法性，根據卡內賬戶信息決定是否允許消費；8、可控制電磁閥及電動閥；9、控水器為12v電壓，保證使用者安全；10、IC卡可以擴展為一卡通，兼容考勤、門禁、消費、停車場等系統；11、可擴展補補貼功能，可對用戶進行補貼。產品參數：外形尺寸：110mm*145mm*45mm卡片類型：M1卡計費方式：計時、計量、計次屏幕顯示：1.77寸彩屏顯示系統發卡數量：可達100萬 工作頻率：13.56MHz卡操作距離：0-50mm卡讀寫速度：<0.3s機器顏色：白色通訊方式：脫機、RS485、TCP/IP、無線433、WIFI、4G供電電壓：DC12V 1A記錄存儲容量：最大可存儲6萬條斷電數據保存時間：>10年存儲掛失卡數目：>100萬張 工作環境: －10℃ ～ ＋100℃
廣州野馬電子科技有限公司
2021-08-23
半焦負載型催化劑制備及其在CO2光催化合成甲醇過程的應用
本項目以陜西榆林及內蒙地區生產的半焦焦粉為原料，通過高溫催化處理以實現半焦焦粉的有序化、多孔化和功能化改性；進而將改性半焦焦粉作為催化劑應用在 CO 2 光催化反應過程中。本項目通過考察改性半焦對 CO 2 光催化轉化產物組成和產率的影響，揭示不同溫度、不同催化劑對半焦結構的調控規律及作用機制；進而揭示改性半焦作為催化劑在 CO 2 光催化轉化過程中的作用機理及轉化機制，以期探尋半焦焦粉應用的新途徑及 CO 2 轉化的新技術。
西安科技大學
2021-04-11
零價鐵與TiO2光催化耦合的類芬頓光催化反應體系的方法
本發明提供一種零價鐵與TiO2光催化耦合的類芬頓光催化反應體系的方法，該方法步驟：配制1L濃度為10mg/L-100mg/L的模擬染料廢水置于玻璃容器中，向該模擬染料廢水中加入0.1g-2g?Fe0，用濃度為1mol/L的HCl溶液調節所述模擬染料廢水的pH=3，然后向所述染料廢水中投加1g/L的TiO2催化劑，開啟λ=254nm的紫外燈，將盛有模擬染料廢水的玻璃容器置于所述紫外燈下，開啟曝氣泵，采用玻璃容器底部曝氣方式驅動混合反應體系中的HCl溶液、TiO2催化劑和模擬染料廢水，反應結束后，關閉紫外燈和曝氣泵，往反應體系中加入2-10ml濃度為1mol/L的NaOH溶液，靜置沉淀30-60min。本發明的效果是可降低反應體系中35%-50%的色度和濁度，出水水質可達到（GB18918-2002）一級A標準的要求。
天津城建大學
2021-04-11
一種 g-C3N4/NiCo2S4 復合材料、制備方法及其應用
一種 g-C3N4/NiCo2S4 復合材料、制備方法及其應用。具體是將 g-C3N4 和 NiCo2S4 混合得到，該混合可以是固相混合，也可以是液相 混合，本發明得到的 g-C3N4/NiCo2S4 復合材料能極大的增加了提高材 料的穩定性，將復合電極作為超級電容器工作電極材料進行測試，在 大電流密度條件下仍能具有較高的比電容量、較好的倍率性能和循環 穩定性。
華中科技大學
2021-01-12
基于液體活檢技術成功監測HER2陽性胃癌患者曲妥珠單抗耐藥并闡述分子機制
基于血漿ctDNA靶向深度測序的HER2基因拷貝數變異（SCNA）檢測結果與FISH檢測結果高度一致，且HER2 SCNA動態監測相比CEA能更好地預測腫瘤退縮或進展，表明基于靶向深度測序的液體活檢能夠預測曲妥珠單抗的治療療效。進一步的研究還發現大多數對曲妥珠單抗原發耐藥的患者在疾病進展后展現出更高的HER2 SCNA，而獲得性耐藥患者HER2 SCNA相對基線明顯下降。PIK3CA基因突變在曲妥珠單抗原發耐藥患者中顯著富集，在部分曲妥珠單抗耐藥患者的基線和進展后的血漿ctDNA中可檢測到ERBB2/4基因突變。基線血漿中PIK3CA/R1/C3和ERBB2/4基因的突變與更差的PFS顯著相關。此外，本研究通過體外和體內的細胞與動物實驗研究證實了NF1基因突變可導致曲妥珠單抗耐藥，且HER2和MEK/ERK雙重阻斷可克服NF1突變導致的曲妥珠單抗耐藥。 本研究的一系列研究成果表明持續的ctDNA檢測可動態監測曲妥珠單抗耐藥的發生，揭示潛在的耐藥機制，并為下一步治療方案的調整提供有用的線索。
中山大學
2021-04-13
一種碳包覆正交晶系納米棒狀 Nb2O5 材料及其制備方法
本發明屬于鋰離子電池領域，更具體地，涉及一種碳包覆正交 晶系納米棒狀 Nb2O5 材料及其制備方法，該方法包括如下步驟：將油 酸和三辛胺按照比例混合均勻制得混合物 A；然后將一定量的鈮酸銨 草酸鹽加入到混合物 A 中攪拌得到溶液 B；將溶液 B 進行微波水熱反 應；將步驟 3 中反應后得到的產物進行離心分離，得到固液混合物 C； 最后將固液混合物 C 放入管式爐中進行煅燒處理。將上述制備方法制 得的 Nb2O5 材料
華中科技大學
2021-04-14