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超順磁性氧化鐵納米顆粒在制備用于治療神經性疾病的神經磁刺激增強劑中的應用
本發明公開了超順磁性氧化鐵納米顆粒在制備用于治療神經性疾病的神經磁刺激增強劑中的應用。一種基于磁性納米材料和外磁場作用，可實現腦深部神經磁刺激的方法和系統構造。本發明利用超順磁性氧化鐵納米顆粒的良好相容性和磁場響應特性，將超順磁性氧化鐵納米顆粒遞送到特定腦區，在一個特定外加磁場作用下，磁性納米顆粒放大磁場效應，刺激周圍的神經細胞，實現神經環路的活化，達到治療一些神經性疾病的目的。
東南大學
2021-04-11
科技創新標志性人物-谷超豪（復旦大學數學研究所名譽所長、中國科學院學部委員）
科技創新標志性人物-谷超豪（復旦大學數學研究所名譽所長、中國科學院學部委員）
科技部
2021-08-31
南京大學生命科學學院閆超課題組開發新型卡介苗用于膀胱癌免疫治療
通過在BCG表面表達FimH蛋白，賦予了BCG靶向腫瘤細胞糖基化的能力，達到了增強BCG對膀胱腫瘤細胞的選擇性黏附和增強免疫反應的一箭雙雕的效果，在膀胱癌原位模型中展現出了出色的抗腫瘤效果和良好的安全性，為臨床BCG菌株的減毒增效提供了新的策略，具有極大的臨床轉化潛力。
南京大學
2022-06-14
中山大學中山醫學院潘超云副教授團隊在卵巢癌鉑耐藥研究方向取得持續進展
潘超云副教授團隊利用商業化激酶抑制劑庫對臨床相關的激酶靶點進行高通量順鉑合成致死篩選，發現鈣/鈣調蛋白依賴性蛋白激酶 II (CAMKII)是促進卵巢癌鉑耐藥的重要激酶，抑制CAMKII可顯著增強卵巢癌對順鉑的敏感性。
中山大學
2022-05-31
第三屆全國高校教師教學創新大賽工作推進會在浙江召開
為貫徹落實黨的二十大精神，加快實施創新驅動發展戰略，加快實現高水平科技自立自強，促進創業孵化機構體系化、專業化建設，推動科技創新創業高質量發展，形成示范帶動效應，現開展2023年山西省省級眾創空間認定和績效評價工作，有關事項通知如下
中國高等教育學會
2023-07-24
三階式生物接觸氧化富營養化原水藻類及藻毒素去除技術
該技術運用反應器原理，將具有完全混合流特征的單階反應器串聯組成具有推流特征的階式反應器，大幅度提高了氨氮、可生物降解有機物、藻毒素的去除效率和生物除藻效果，并可減少后續工藝中混凝劑與消毒劑的用量，提高了飲用水的安全性。
東南大學
2021-04-10
一種三相無電解電容LED電源的拓撲電路及其控制方法
簡介：本發明公開了一種三相無電解電容LED電源的拓撲電路及其控制方法，屬于LED驅動電源技術領域。本發明包括三相交流電源、EMI濾波器、單相整流橋、單相PFC電路和控制單元，三相交流電源的A相輸出端依次與EMI濾波器、單相整流橋、單相PFC電路相連；所述的控制單元采樣單相PFC電路的輸入電壓、輸入電流以及輸出電流，經過計算產生占空比信號控制單相PFC電路；三相交流電源的B相、C相與A相設置相同，三個單相PFC電路的輸出端并聯后連接LED負載。本發明適用于大功率的三相LED驅動電源，具有較高的功率因數，且無需大容量的電解電容。
安徽工業大學
2021-04-11
起重機箱形主梁三自由度移動焊接機器人
（專利號：ZL 201510552708.2） 簡介：本發明提供一種起重機箱形主梁三自由度移動焊接機器人，屬于機器人焊接技術領域。該焊接機器人包括底座、縱向移動機構、焊槍升降機構、焊槍旋轉機構、焊接設備及電纜卷筒等，焊接設備包括送絲機、焊機、氣瓶座、二氧化碳氣瓶，焊槍旋轉機構通過升降臺安裝在焊槍升降機構上，齒輪齒條傳動與直線導軌副相配合實現長位移移動的精確定位，通過三臺伺服電機聯合控制焊槍位姿實現長距離平面曲線連續光滑平角焊縫的自動焊接。本發明所提供的焊接機器人具有結構簡單、傳動鏈短、位置準確、工作可靠、焊接質量穩定等技術特點。
安徽工業大學
2021-04-11
一種用于組織/器官芯片集成制造的三維打印方法及裝置
本發明涉及一種用于組織/器官芯片集成制造的三維打印方法及裝置，包括以下步驟：1)設計三維芯片的三維結構圖，并轉化為片層圖形文件格式；2)開啟三維打印裝置，將打印墨水吸入各個噴頭中；導入片層圖形文件；3)三維打印裝置分別將主體材料打印墨水、犧牲材料打印墨水和不同的細胞打印墨水打印到底板系統預先設計的位置；4)重復步驟3)逐層累積完成三維芯片結構打印，直至片層圖形文件打印完成；5)加熱或制冷整體打印完成的三維芯片，使通道犧牲材料變為溶膠態；6)將變為溶膠態的通道犧牲材料使用移液槍吸出，去除通道犧牲材料，形成完整的三維芯片結構；7)對未被融化的細胞打印墨水材料進行交聯，灌流培養基。
清華大學
2021-04-10
加工第三代半導體晶片光電化學機械拋光技術
第三代半導體氮化鎵和碳化硅因其禁帶寬、穩定性好等優點，已廣泛應用于電子和光電子等領域。各種氮化鎵和碳化硅基器件是5G技術中的關鍵器件。將半導體晶片制成器件，其中的一個關鍵加工步驟是晶片表面的拋光。然而，氮化鎵和碳化硅的化學性質極其惰性，半導體工業目前常用的化學機械拋光方法無法對其實現高效加工。對此，我們從原理上創新發展了一種光電化學機械拋光技術，不僅可快速加工各種化學惰性半導體晶片（如:加工氮化鎵的材料去除速率可達1.2 μm/h，比目前的化學機械拋光的高約10倍），而且可加工出原子臺階結構的平滑表面。設備簡單，技術具有完全的自主知識產權。
廈門大學
2021-04-10