本發(fā)明公開了一種溴鉛銫單晶制備方法，采用鍍有碳膜的具有 圓錐形尖端的安瓿裝載溴鉛銫粉料，具體包括如下步驟：將安瓿抽真 空密封；對(duì)安瓿按其圓錐形尖端到溴鉛銫粉料頂端的方向梯度加溫， 使置于安瓿中的溴鉛銫粉料充分熔化；對(duì)安瓿緩速降溫，直到溴鉛銫 粉料頂端的溫度比溴鉛銫的凝固點(diǎn)低 0～5℃后保溫，完成溴鉛銫單晶 生長(zhǎng)；對(duì)溴鉛銫單晶分階段降溫：第一階段快速降溫，使溴鉛銫單晶 快速冷卻；第二階段慢速降溫，實(shí)現(xiàn)溴鉛銫單晶晶體相變轉(zhuǎn)化。本發(fā) 明提供的上述溴鉛銫單晶制備方法，在單晶生長(zhǎng)中與單晶降溫中采用 了不同的降溫速度，且采用了分階段降溫的方法，兼顧了晶體生長(zhǎng)質(zhì) 量與生長(zhǎng)周期，有效解決現(xiàn)有技術(shù)在單晶制備過程因內(nèi)應(yīng)力導(dǎo)致溴鉛 銫單晶開裂的問題。