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一種非易失性三維半導體存儲器的柵電極及其制備方法
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項目成果/簡介:
本發明公開了一種非易失性三維半導體存儲器的柵電極及其制
備方法；柵電極包括 n 個依次成階梯狀排列的柵電極單元，每個柵電
極單元為柱狀結構，由連通電極和包圍在連通電極周圍的絕緣側壁構
成；所述連通電極的上表面用于連接柵層，下表面用于連接字線。本
發明適用于在字線等前道工藝完成后制備連接柵層的電極結構。此電
極結構呈階梯狀連接不同堆疊層且相對應的柵層，對疊層中非相對應
的柵層與柵電極之間通過絕緣層隔離
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