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AlGaN/GaN合金歐姆接觸新途徑
2021-04-14 00:00:00
云上高博會
http://www.aagg92h.xyz
關鍵詞：
合金歐姆
所屬領域:
項目成果/簡介:
AlGaN/GaN HEMT器件具有較高的電子遷移率二維電子氣2DEG，在射頻以及功率器件中有極大的應用前景。由于降低金屬半導體的歐姆接觸電阻對降低器件源漏電極寄生電阻起到關鍵作用，直接影響到器件的源漏輸出電流、導通電阻、擊穿電壓等性能參數，高質量的低歐姆接觸在AlGaN/GaN射頻器件的開發中尤為重要。
于洪宇課題組訪問學生范夢雅介紹，傳統的Ti/Al多層膜常被應用到無金歐姆接觸工藝
項目階段:
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