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采用氫化物氣相外延（HVPE） 技術(shù)制備 GaN 襯底
2021-04-14 00:00:00
云上高博會
http://www.aagg92h.xyz
關(guān)鍵詞：
HVPE
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項目成果/簡介:
成果簡介
隨著技術(shù)發(fā)展， 對于大功率白光 LED 而言， 發(fā)光效率的提高一直是個瓶頸。針對 GaN 基器件， 由于同質(zhì) GaN 襯底價格昂貴， 因此一直沒有被普遍應(yīng)用到 GaN基材料生長領(lǐng)域。 目前一般采用在異質(zhì)襯底上生長 GaN 基材料， 國內(nèi)外一般采用藍(lán)寶石襯底、 碳化硅襯底、 硅襯底等等。 這導(dǎo)致 GaN 基材料與異質(zhì)襯底之間的熱膨脹系數(shù)、 晶格系數(shù)的不匹配， 從而 GaN 基材料中缺陷密度很高， 一般在 105～
108/cm2 量級。 高密度的缺陷直接導(dǎo)致光電器件發(fā)
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