n-型有機薄膜晶體管

其它領域

設計并成功合成了兩種新型噻唑酰亞胺缺電子受體單元,并在其基礎上得到全受體類型均聚物PDTzTI（圖1a）。單晶XRD分析表明，DTzTI單體中存在S…N非共價鍵相互作用因而平面性較好，單體間的π堆積也非常緊密，非常適合構建全受體聚合物。噻唑酰亞胺的強拉電子能力也使得聚合物的前沿軌道能級較低，有利于晶體管中電子注入并提升器件穩定性，同時抑制空穴注入和降低器件關電流。基于PDTzTI的有機薄膜晶體管器件表現出優異的單極性n-型輸運性能（圖1b）。晶體管電子遷移率達到1.6 cm 2  V -1  s -1 ，關電流僅為10 ?10 -10 ?11 A，因而電流開關比高達10 7 -10 8 。該遷移率是全受體均聚物材料中的最高紀錄，同時在晶體管關電流和開關比性能上顯著優于常見給體-受體共聚物材料，表明全受體結構是實現單極性n-型聚合物材料的有效途徑,為新型受體單元和單極性n-型材料的設計提供重要參考依據。

試用