PECVD（plasma enhanced chemical vapor deposition）—等離子體化學(xué)氣相沉積，在化學(xué)氣相沉積領(lǐng)域具有很好的前景。利用等離子體中大量高能量的電子，提供化學(xué)氣相沉積過(guò)程所需的激活能，相對(duì)于其它CVD方法具有顯著降低CVD薄膜沉積的溫度等優(yōu)點(diǎn)。包括輝光放電等離子體發(fā)生電源、氣體質(zhì)量流量計(jì)、真空計(jì)、分子泵等多個(gè)組成單元。可以在不同氣壓和氣體環(huán)境下進(jìn)行PECVD。

技術(shù)特點(diǎn):

1）自主研發(fā)的等離子體發(fā)生電源可輸出較大范圍內(nèi)幅值、頻率可調(diào)的放電電壓信號(hào)；2）可實(shí)現(xiàn)100~105 Pa不同氣壓以及不同氣體環(huán)境，且通過(guò)氣體流量精確控制實(shí)現(xiàn)在任一氣壓值穩(wěn)定氣壓狀態(tài)。

3）專(zhuān)用設(shè)計(jì)的反映腔體結(jié)構(gòu)和水冷放電電極結(jié)構(gòu)，可長(zhǎng)時(shí)間、穩(wěn)定地生成PECVD用輝光放電等離子體。腔體內(nèi)部包含多種可調(diào)性測(cè)量結(jié)構(gòu)，可以對(duì)生成的等離子體和PECVD過(guò)程進(jìn)行多種形式的監(jiān)測(cè)。

4）該裝置根據(jù)產(chǎn)品化標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了多重安全性和人機(jī)互動(dòng)性專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)，符合產(chǎn)品要求。