CIGS 薄膜太陽(yáng)電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，采用非真空技術(shù)可以進(jìn)一步降低這種電池的成本，預(yù)計(jì)可達(dá)到0.3$/W。 本項(xiàng)目產(chǎn)品結(jié)構(gòu)為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收層 CIGS 薄膜為 p 型半導(dǎo)體，其表面貧 Cu 呈 n 型與緩沖層CdS 和 i-ZnO 共同成為 n 層，構(gòu)成淺埋式 p-n 結(jié)。太陽(yáng)光照射在電池上產(chǎn)生電子與空穴，被 p-n 結(jié)的自建電場(chǎng)分離，從而輸出電能。工藝流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo 的濺射沉積→非真空法分步電沉積Cu-In-Ga 金屬預(yù)置層→快速加熱硒硫化處理（RTP）→化學(xué)水浴法沉積 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 濺射沉積→ZnO:Al 透明導(dǎo)電膜的濺射沉積→Ni/Al 電極沉積，等。