InP?基?2?微米波段半導(dǎo)體激光器

航空航天

可以量產(chǎn)/nInP基In(Ga)As量子阱在材料制備及器件工藝制作方面具有諸多優(yōu)勢(shì)。除了具 有高質(zhì)量，低成本的襯底材料，InP基激光器因其兼容傳統(tǒng)通訊用激光器的成熟工 藝，且易與其它器件實(shí)現(xiàn)集成等優(yōu)勢(shì)而具有更好的工業(yè)應(yīng)用前景。我們擁有采用 MOCVD制備大晶格失配In(Ga)As/InP量子阱外延芯片、半導(dǎo)體激光器工藝制作以及 器件測試封裝的全套技術(shù)。我們制備的激光器外延芯片波長可精確調(diào)控，其面內(nèi)波 長不均勻性低至±3nm，相應(yīng)的激光器件性能指達(dá)到國際先進(jìn)水平。 目前市場對(duì)2微米激光器的應(yīng)用需求主要

小批量或小范圍應(yīng)用