由于高溫下催化劑的聚集和失活，無法獲得高密度碳管水平陣列，就提出了“特洛伊”催化劑的概念，解決了催化劑聚集的難題，實現了密度高達 130 根 / 微米（局部大于 170 ）碳管水平陣列的生長（ Nat. Commun. , 2015, 6, 6099 ）。為了進一步實現碳納米管的結構控制，他們發展了雙金屬催化劑（ J. Am. Chem. Soc. ,  2015, 137, 1012 ）、半導體氧化物催化劑（ Nano Lett. ,  2015, 15, 403 ）和碳化物催化劑（ J. Am. Chem. Soc. ,  2015, 137, 8904 ），實現了不同結構碳納米管的控制生長。通過對生長的過程的調控，實現了密度大于 100 根 / 微米半導體含量大于 90% 的碳管陣列的生長（ J. Am. Chem. Soc. ,  2016, 138, 6727 ）和小管徑陣列單壁碳納米管的生長（ J. Am. Chem. Soc. ,  2016, 138, 12723 ）。