一種三維跨尺度碳電極陣列結構及其制備方法

先進制造與自動化

本發明公開了一種三維跨尺度碳電極陣列結構及其制備方法， 該方法包括如下步驟：

（1）清洗硅片，去除表面雜質和氧化層；

（2）在硅片上涂覆負性光刻膠，并進行前烘；

（3）用 PDMS 模板作為壓印 模板，進行壓印工藝，得到光刻膠半球陣列結構；

（4）用氧等離子體 進行刻蝕，得到跨尺度的光刻膠陣列結構；

（5）將跨尺度的光刻膠陣 列結構進行熱解，得到三維跨尺度碳電極陣列結構。

該方法簡單，便 于控制，重復性好，制備的碳電極陣列結構穩定，具有大的比表面積 和良好的生物兼容性，可廣泛應用于微型超級電容、微型電池、生物 芯片和微型傳感器等微機電系統領域。

未應用